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            晶體晶振在設(shè)計(jì)振蕩回路時(shí)注意事項(xiàng)

            作者:愛普生代理江蘇南山 發(fā)布時(shí)間:2020-10-10分類:常見問題瀏覽:41次

            1. 驅(qū)動(dòng)能力
            驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:
            驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re

            其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
            Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2

             

            晶體單元的等效電路 振蕩電路
            晶體單元的等效電 振蕩電路

            2. 振蕩補(bǔ)償
            除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

            晶體單元和振蕩器 負(fù)極電阻檢查
            晶體單元和振蕩器 負(fù)極電阻檢查
            1. 將電阻(r)跟晶體單元按串聯(lián)方式連接到電路。
            2. 調(diào)整(r),使得 振蕩發(fā)生(或停止)。
            3. 當(dāng)振蕩剛啟動(dòng)(或停止)時(shí),如(2)所述,測(cè)量(r)。
            4. 推薦的(r)
              (r) > CI ×(5至 10)

            3. 負(fù)載電容
            如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
            其中CS表示電路的雜散電容。

            頻率和負(fù)載電容特征圖器 振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
            頻率和負(fù)載電容特征圖 振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
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